Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.

Sonstige aus Singapore

Historie

17.05.2006 - Patent: Verfahren zur Herstellung von einem Gatter-Dielektrikum mit veränderlicher Dielektrizitätskonstante

02.11.2006 - Patent: Verfahren zum Vermeiden von Kupfer-Kontamination der Seitenflächen eines Kontaktloches oder einer Doppel-Damaszenen-Struktur

13.12.2006 - Patent: Methode, einheitliche Silizidbereiche herzustellen

19.12.2007 - Patent: Verbessertes Halbleiterherstellungssystem

19.11.2008 - Patent: Verfahren zur Verhinderung von Kupfermigration durch eine aufgestäubte Getterschicht auf der Wafer-Rückseite

12.01.2011 - Patent: Herstellungsverfahren eines Nanokristall-FLASH-Speicherbauelementes

20.04.2011 - Patent: Verfahren zur Herstellung eines Gate-Dielektrikums mit Gebieten hoher und niedriger Dielektrizitätskonstante

14.05.2012 - Wortmarke: GF

22.08.2012 - Patent: Verfahren zur Herstellung einer Kupfer-Dualdamaszen-Struktur mit verminderter Muldenbildung und Erosion

11.04.2013 - ← Globalfoundries Inc.

23.05.2013 - Patent

26.02.2014 - Patent: Methode, die Abrundung der Ecken der oberen Kondensatorelektrode eines MIM Kondensators zu verhindern